Characterization and simulation of power MOS transistors under electrical and thermal stresses
Caractérisation et Simulation des Transistors MOS sous Stress Electrique et Thermique
Résumé
Ce manuscrit présente une synthèse de mes travaux de recherche, d’investigation,
d’animation et de valorisation, réalisés de 1996 à 2007, suite à ma thèse de doctorat en 1994 à
Toulouse (Université Paul Sabatier -Toulouse III). Dans le cadre de collaborations
scientifiques, les travaux présentés ont été menés conjointement avec les laboratoires : LAAS/CNRS, CLOES-MOPS
(université de Metz), et LEMI (université de Rouen).
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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| licence |
Domaine public
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